1、蒸镀工艺方式的选择

　　热电阻蒸镀与电子束蒸镀是常见的蒸发镀膜方式，其中热电阻蒸镀的原理是通过电流加热蒸发蒸发舟上的原料，而电子束蒸镀的原理是通过电子束加热蒸发水冷坩埚上的原料。

　　热电阻蒸镀的优点在于设备简单、价格低、可靠性较高，对原料预热充分，不容易导致化合物原料分解，其缺点在于能达到的温度不高，加热器使用寿命不长。

　　电子束蒸镀的优点在于能达到的温度更高，蒸发速度快，但缺点是难以有效控制电流，容易导致低熔点材料快速蒸发，且电子束能量多被水冷系统带走，热效率低，电子束轰击还容易造成化合物原料的分解，坩埚存在污染原料的可能性，另外会产生对人体有害的X射线。

　　因此在具体的真空镀膜生产工作中，我们可以根据以上分析来选择适宜的蒸发镀设备和工艺方式，例如MgF2的熔点只有1261℃，考虑到熔点低如选用电子束蒸镀很难控制预蒸镀时间和电流，容易蒸镀不均匀且产生残留原料，原料也易受坩埚的污染。因而更适合使用热电阻蒸镀的方式，可以调节电流来充分预蒸镀，先消除原料中的杂质，避免直接蒸镀原料受热不均导致的喷溅，进而能够保证蒸镀的稳定性和均匀性。

　　2、蒸镀时间与温度的控制

　　蒸发镀的实际工作经验告诉我们，原料充足情况下镀膜厚度与蒸镀时间呈线性关系，这表明高真空情况下蒸镀速率比较均匀。而基片的温度，通常对镀膜厚度影响不大，其原因在于高真空环境下分子间碰撞很小，蒸发分子遇基片表面迅速凝结。因此如MgF2原料的蒸镀基片温度通常保持60℃即可。

　　3、原料状态的影响

　　不同的原料状态可能会对蒸镀过程造成较大的影响。实验研究成果表明：

　　在蒸镀条件一致的前提下，粉末状的原料状态结构松散，原料内的水与空气较多，实际蒸镀前应充分溶解原料，原料质量损失相对较大，光照度较差;多晶颗粒的原料状态由于生产过程已经除气脱水，结构均匀致密，实际蒸镀前原料质量损失相对较小，光照度较好。

　　实际蒸镀中我们发现，单晶原料蒸镀的薄膜组成形式为大分子团，冷却后形成大颗粒柱状结构，薄膜结构疏松，耐磨性差，而多晶原料薄膜为小分子沉积，更适宜于用作蒸镀原料。

　　4、蒸发源与基片间距的影响

　　蒸发源与基片间距会对薄膜均匀性等造成一定影响，根据实际镀膜经验，蒸发源与基片间距较小的情况下，薄膜厚度相对更大，均匀性也相对更好。因此在实际镀膜生产中，我们需要考虑如何合理调整蒸发源与基片的间距，确保各区域的基片与蒸发源间距最佳。